Dans le cadre du projet « HENSi » (cellules solaires à haut rendement sur silicium de type N avec réduction de défauts), l’Institut Fraunhofer pour les systèmes intégrés et technologies de construction (IISB), travaille à un procédé de génération de cellules solaires dites « de type N ». Ces cellules qui font preuve d’un rendement élevé, utilisent cependant du silicium monocristallin dont la production entraîne des coûts élevés. L’objectif du projet est de déterminer les bases d’une fabrication de silicium cristallin de type N ayant une faible densité de défauts et des valeurs de résistance homogènes, à des coûts plus intéressants. La méthode testée n’a pas recours à une masse fondue, mais à une solidification dirigée. L’Institut Fraunhofer doit maintenant relever résoudre les problèmes résultant encore de ce procédé, à savoir que le silicium généré est multicristallin et contient des défauts.